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AMD-K6-III Prozessor




AMD - K6® - III Prozessor
AMD - K6® - III Prozessor - Technische Merkmale und Neuerungen
 
  


Spitzenleistung der sechsten Generation


Weiterentwickelte superskalare Sechsfach - RISC86® - Mikroarchitektur
    Zehn parallele spezialisierte Ausführungseinheiten Verbesserte zweistufige Sprungvorhersage Spekulative Ausführung Full out - of - order execution Registerumbenennung und Datenübergabe Führt bis zu sechs RISC86 - Instruktionen pro Takt aus




TriLevel Cache Design
    Unterstützt größtenSystem - Cache für Desktop - PCs Insgesamt 320 KB interner Cache 64 KB interner Level 1 Cache (32 KB Befehls - Cache und 32 KB Write - Back - Dual - Ported - Daten - Cache) 256 KB interner Backside - Level 2 Write - Back - Cache Multiport - Design des internen Cache ermöglicht gleichzeitige 64 - Bit - Lese - /Schreiboperationen auf den L1 und L2 Cache Teilassoziativer 4 - Weg - Aufbau des L2 Cache erlaubt optimale Datenverwaltung und rationelle Verarbeitung 100 MHz - Frontside - Bus verbindet zusätzlichen externen Level 3 Cache auf Super7(TM)- Motherboard
 
  


3DNow!(TM)Technologie
    21 neue SIMD - Befehle für (noch) mehr 3D - Grafik - und Multimedia - Leistung Bis zu 4 Gleitkommaoperationen pro Takt Separater Multiplizierer und separate ALU zu superskalaren Befehlsausführung Kompatibel zu vorhandenen x86 - Betriebssystemen
 
  


Kompatibel zur leistungsstarken und kostengünstigen Super7 - Plattform
    Unterstützt schnellen 100 MHz - Prozessorbus Unterstützung für den Accelerated Graphics Port (AGP)
 
  


Erweiterte superskalare MMX(TM)- Befehlsausführung mit Doppeldekodierer und Doppel - Verarbeitungs - Pipelines


Schnelle IEEE 754 - und IEEE 854 - kompatible Gleitkommaeinheit (FPU)


System Management Mode (SMM) nach Industriestandard


Binäre x86 - Softwarekompatibilität


Chip: 21,3 Millionen Transistoren auf 118 mm2Fläche


Verfügbar in 321poligem Ceramic Pin Grid Array (CPGA) Gehäuse (kompatibel zur Super7 - Plattform) mit innovativer C4 Flip - chip - Technologie


Hergestellt mit AMDs modernster 0,25µ - Fünflagen - Metall - Silizium - Prozeßtechnologie und lokaler Zwischenkontaktierungstechnik in der hochmodernen Fab 25 Wafer - Fertigungsstätte von AMD

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